場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field EffectTransistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱或者場(chǎng)效應(yīng)管。貼片電容可分為無(wú)極性和有極性兩類，無(wú)極性電容下述兩類封裝最為常見，即0805、0603；而有極性電容也就是我們平時(shí)所稱的電解電容，一般我們平時(shí)用的最多的為鋁電解電容，由于其電解質(zhì)為鋁，所以其溫度穩(wěn)定性以及精度都不是很高，而貼片元件由于其緊貼電路版，所以要求溫度穩(wěn)定性要高。也稱為一個(gè)單極型晶體管。它屬于不同電壓進(jìn)行控制型半導(dǎo)體電子器件。具有中國(guó)輸入輸出電阻高(108～109Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)管理范圍大、易于實(shí)現(xiàn)集成、沒(méi)有得到二次發(fā)生擊穿實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象、安全教育工作發(fā)展區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已逐漸成為雙極型晶體管和功率以及晶體管的強(qiáng)大市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)者。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)兩大類。

與雙極晶體管相比，其具有以下特征

(1) FET 是一種電壓控制器件， VGS 控制 ID;

(2)場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電流很小，因此其輸入電阻很大;

(3)它是可以利用企業(yè)多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性具有較好;

(4)它組成的放大系統(tǒng)電路的電壓進(jìn)行放大系數(shù)要小于三極管組成部分放大控制電路的電壓信號(hào)放大系數(shù);

(5)場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較強(qiáng)的抗輻射能力;

(6)由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。

場(chǎng)效應(yīng)管與普通產(chǎn)品晶體納米管有何異同

FET 是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。當(dāng)信號(hào)源允許的電流較小時(shí)，應(yīng)使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管; 當(dāng)信號(hào)電壓較低且信號(hào)源允許的電流較大時(shí)，應(yīng)使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是一種利用大多數(shù)載流子導(dǎo)電的雙極性器件，因此被稱為單極性器件。

場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是一種單極半導(dǎo)體器件，其中電場(chǎng)效應(yīng)控制著電流的大小。它具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。它被用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路。場(chǎng)效應(yīng)器件以其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)逐漸取代了集成電路中的晶體管。但它仍然很脆弱，雖然現(xiàn)在大多數(shù)都有內(nèi)置的保護(hù)二極管，但很少注意，也會(huì)受到損壞。所以在你的申請(qǐng)中要小心。

主要作用

1.FET可用于放大。由于FET放大器的輸入阻抗很高，耦合電容的容量可以很小，所以不需要使用電解電容。

2.場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入輸出阻抗具有非常適合作交流阻抗進(jìn)行變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。

3.場(chǎng)效應(yīng)管可以直接用作一個(gè)可變電阻。

4. 場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。

場(chǎng)效應(yīng)管可用作電子開關(guān)。