NPO和C0G間的關(guān)系:NPO是美國軍用標(biāo)準(zhǔn)(MIL)中的說法,只不過應(yīng)該是NP0(零),但一般大家習(xí)慣寫成NPO(歐)這是Negative-Positive-Zero的縮寫,用來則表示的溫度特性說明NPO的電容溫度特性很好,不隨差值溫度變化而出現(xiàn)容值飄移。

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貼片電容的電介質(zhì)材料種類有哪些不同之處

貼片電容材質(zhì)分為哪幾種電容介質(zhì)材料常見的有哪些

NPO和C0G間的關(guān)系:NPO是美國軍用標(biāo)準(zhǔn)(MIL)中的說法,只不過應(yīng)該是NP0(零),但一般大家習(xí)慣寫成NPO(歐)這是Negative-Positive-Zero的縮寫,用來則表示的溫度特性說明NPO的電容溫度特性很好,不隨差值溫度變化而出現(xiàn)容值飄移。

從前面我們已經(jīng)知道,C0G是I類陶瓷中溫度平衡性最好的一種,溫度特性近似為0,滿足“負(fù)-正-零”的含義所以C0G只不過和NPO是那樣的,只不過是兩個標(biāo)準(zhǔn)的兩種則表示方法(當(dāng)然,容值更小、精度略差點的C0K、C0J等也是NPO電容)。

類似的,U2J對應(yīng)于MIL標(biāo)準(zhǔn)中的界別代碼為N750NPO是?種較常?的具備溫度補(bǔ)償特性的單?陶瓷電容器它的充填介質(zhì)是由銣、釤和?些其它珍貴氧化物組成的NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最平衡的電容器之?在溫度從-55℃到+125℃時容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化?于±0.3ΔC。

NPO電容的飄移或落后?于±0.05%,相對?于±2%的薄膜電容而言是能忽略不計的其典型的容量相對使?壽命的變化?于±0.1%NPO電容器隨PCB形式完全相同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也完全相同,?PCB尺?的要??PCB尺?的頻率特性好。

下表給出了NPO電容器可挑選出的容量范圍NPO電容器適合?于振蕩器、諧振器的槽路電容,以及?頻電路中的耦合電容。

Ⅱ類陶瓷特點:Ⅱ類陶瓷電容器(ClassⅡ ceramic capacitor)過去稱作為低頻陶瓷電容器(Low frequency ceramiccapacitor),指以鐵電陶瓷作介質(zhì)的電容器,因此也稱鐵電陶瓷電容器。

這類電容器的比電容大,電容量隨溫度呈非線性變化,損耗較大,常在電子設(shè)備中用作旁路、耦合或用作其它對損耗和電容量平衡性建議不高的電路中其中Ⅱ類陶瓷電容器又分為平衡級和需用級X5R、X7R屬Ⅱ類陶瓷的平衡級,而Y5V和Z5U屬需用級。

X5R、X7R、Y5V、Z5U間的區(qū)別:區(qū)別主要還在于溫度范圍和容值隨溫度的變化特性上。下表提示了這些代號的含義。

以X7R為例X 代表電容最低可工作在-55℃7 代表電容最高可工作在+125℃R 代表容值隨溫度的變化為±15%同樣的,Y5V恒定工作溫度范圍在-30℃~+85℃, 對應(yīng)的電容容量變化為+22~-82%;而Z5U 恒定工作溫度范圍在+10℃~+85℃,對應(yīng)的電容容量變化為+22~-56%。

X7R電容器被稱作溫度平衡型的陶瓷電容器當(dāng)溫度在-55℃到+125℃時其容量變化為15%,須要注意的是此時電容器容量變化是?線性的X7R電容器的容量在完全相同的電壓和頻率條件下是完全相同的,它也隨時間的變化?變化,?約每10年變化1%ΔC,表現(xiàn)為10年變化了約5%。

X7R電容器主要應(yīng)?于建議不?的?業(yè)應(yīng)?,?且當(dāng)電壓變化時其容量變化是能接受的條件下它的主要特點是在完全相同的體積下電容量能做的?較?X7R/X7S/X5R/X6S電容器的值域范圍如下具體方法?(廠家完全相同值域范圍有微小差異):。

Y5V電容器是?種有?定溫度限制的通?電容器,在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達(dá)+22%到-82%Y5V的?介電常數(shù)允許在較?的物理尺?下制造出?達(dá)4.7μF電容器Y5V電容器的其它技術(shù)指標(biāo)如下:?作溫度范圍。

-30℃ ~+85℃溫度特性 +22% ~-82% 介質(zhì)損耗最? 5%Z5U電容器稱作”通?”陶瓷單?電容器這??先須要考慮的是使?溫度范圍,對Z5U電容器主要的是它的?尺?和低成本對上述三種陶瓷單?電容器而言在完全相同的體積下Z5U電容器有最?的電容量。

但它的電容量受環(huán)境和?作條件影響較?,它的?化率最?可達(dá)每10年下降5%雖然它的容量不平衡,由于它具備?體積、耦合串聯(lián)電感(ESL)和耦合串聯(lián)電阻(ESR)低、較好的頻率響應(yīng),使其雖然它的容量不平衡,由于它具備?體積、耦合串聯(lián)電感(ESL)和耦合串聯(lián)電阻(ESR)低、較好的頻率響應(yīng),使其具備?泛的應(yīng)?范圍。

尤其是在退耦電路的應(yīng)?中Z5U電容器的其它技術(shù)指標(biāo)如下:?作溫度范圍+10℃ ~ +85℃溫度特性 +22% ~-56% 介質(zhì)損耗最? 4%COG/NPO/Y5V/Z5U電容器的值域范圍如下具體方法?(廠家完全相同值域范圍有微小差異):。

貼片電阻在電路上出現(xiàn)問題,有可能是貼片電容本身質(zhì)量不良,亦有可能是設(shè)計時挑選出規(guī)格不佳或是在表面Kaysersberg機(jī)械力熱沖擊等對貼片電容導(dǎo)致一定的損傷等因素導(dǎo)致正確選擇一顆貼片電容時,除了要提供其規(guī)格尺寸及容量大小外,還必須特別注意到電路對這顆片式電容的溫度系數(shù)、額定電壓等參數(shù)的建議。

貼片電容標(biāo)準(zhǔn)命名方法及定義:貼片電容的命名,國內(nèi)和國外的產(chǎn)家有一些區(qū)別而所包含的參數(shù)是那樣的?

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